plasma清洗原理介紹

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2023-07-05

plasma是除固液氣外的物質(zhì)存在的第四種狀態(tài)，是由原子以及正負電子組成的具有導電特性的離子化氣體物質(zhì)。plasma清洗，最早始于20世紀初，是利用等離子體的特性與物質(zhì)相互作用達到去除表面物質(zhì)的一種工藝。plasma清洗機主要用于各種電子元件的制造、光學、航空航天等領(lǐng)域。

Plasma清洗原理如下：

plasma清洗機的工作原理主要是利用等離子體中活化基團的“活化作用”去除基底表面污染物的過程。plasma清洗機是在真空環(huán)境中操作的，氣體的釋放和抽離都可實現(xiàn)在短時間內(nèi)徹底轉(zhuǎn)移，清洗污染物的量級達到分子級。

plasma清洗通常包括以下過程：

（1）無機氣體被轟擊激發(fā)為電子、離子中性粒子等等離子態(tài)氣相物質(zhì)被吸附在固體表面。
（2）被吸附的等離子基團與基底表面分子或原子發(fā)生化學反應(yīng)生成復合基團分子，通過惰性氣體攜帶反應(yīng)殘余物脫離基底表面。
plasma清洗技術(shù)的特點是對基體沒有選擇性，可囊括金屬材料、絕緣體材料、甚至高分子有機物等。并可利用等離子體的各向異性實現(xiàn)對整體和局部結(jié)構(gòu)的清洗。

plasma清洗機原理圖

如上圖1所示，plasma清洗機的工作機制如下：在真空環(huán)境中提供電場，在電場的作用下，帶正電的電荷和電子等相互碰撞電離進行輝光放電形成等離子體。電離產(chǎn)生的活性基團攜帶巨大的動能，可以破壞材料表面的化學鍵及分子間作用力，與斷鍵的離子或獨立的分子發(fā)生化學反應(yīng)。在半導體工藝中，通過控制氧氣和氬氣的通量，使具有強氧化性的氧等離子體與硅片表面的殘留光刻膠發(fā)生氧化反應(yīng)，生成氣相結(jié)合物脫離硅片表面，達到清潔表面的作用。當?shù)入x子體具有很強的腐蝕性時，可以很好地達到刻蝕材料表面的目的，且由于腐蝕性的等離子體都具有各向異性，其刻蝕效果也具有易控制、質(zhì)量高的特點。plasma清洗處理速度快，可達到每秒穿透幾個納米的厚度。對于只有原子層厚度的二維材料來說，plasma清洗機可以較好地清除其表面污染物。

plasma清洗材料表面有機物質(zhì)的原理如下：在真空的環(huán)境下，基底材料受到等離子體轟擊后，瞬間進入高溫環(huán)境，基底表面有機物迅速反應(yīng)蒸發(fā)或升華成氣相，快速被擊穿并通過抽真空帶出反應(yīng)腔。